Braço cerâmico para equipamentos semicondutores com alta dureza, resistência a altas temperaturas e resistência à corrosão química

Braço Cerâmico Cerâmica de Zircônia1. Possui excelente resistência ao desgaste, resistência à corrosão química, resistência a altas temperaturas e resistência magnética, tornando-o utilizável em ambientes extremamente agressivos sem contaminar materiais ou o meio ambiente.2. Apresenta alta tenacidade, alta resistência à flexão e alta resistência ao desgaste, bem como excelentes propriedades de isolamento térmico, com um coeficiente de expansão térmica próximo ao do aço.Nano AluminaDevido ao seu tamanho de partícula fino, a nano alumina pode ser usada para fazer pedras preciosas sintéticas, reagentes analíticos, bem como nano catalisadores e suportes. Quando usada em materiais luminescentes, pode aumentar muito sua intensidade de luminescência. Para cerâmica e endurecimento de borracha, é várias vezes mais eficaz do que a alumina comum, particularmente na melhoria da densidade, suavidade da superfície e resistência à fadiga térmica da cerâmica. A nano alumina é usada principalmente em componentes-chave de cristais de laser YGA e substratos de circuitos integrados, e também é adicionada a revestimentos para melhorar a resistência ao desgaste. Braço cerâmico de alto desempenho projetado para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem precisão e durabilidade excepcionais. Características do Produto Características do Material: Alta dureza, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão química Usinagem de Alta Precisão: A planicidade da posição do bico pode ser controlada dentro de 0,02 mm Design Personalizado: Tamanhos personalizáveis (até cerca de 400 mm) e posições dos furos, compatível com equipamentos de semicondutores convencionais Propriedades Mecânicas Propriedade Unidade Carboneto de Silício Densidade g/cm³ 3.15 Dureza Vickers Hv0.5 2650 Resistência à Flexão MPa 450 Resistência à Compressão MPa 2650 Módulo de Elasticidade GPa 430 Tenacidade à Fratura MPa*m¹/² 4 Relação de Poisson 0.14 Módulo de Young GPa 430 Pureza da Matéria-Prima de Carboneto de Silício % 99 Propriedades Térmicas Propriedade Unidade Carboneto de Silício Condutividade Térmica a 25°C W/mK 110 Ponto de Fusão °C 2800 Calor Específico J/g*K 0.8 Coeficiente de Expansão Linear 10⁻⁶/K 4 Características Elétricas Propriedade Unidade Carboneto de Silício Constante Dielétrica 1MHz 10 Tensão de Ruptura V/cm 1×10⁶ Perda Dielétrica 1MHz 0.001 Resistividade Ω*cm 10²-10⁶