Semicondutores discretos BJT do transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Preço	Negotiated
MOQ	10
Prazo de entrega	2-15days
Marca	Nexperia USA Inc.
Lugar de origem	CHINA
Certification	ROHS
Number modelo	PBHV8540X, 115
Detalhes de empacotamento	pacote padrão
Termos do pagamento	T/T, Western Union
Capacidade da fonte	500000PCS

Detalhes do produto

Especificação do produto

Brand Name	Nexperia USA Inc.	Number modelo	PBHV8540X, 115
Certification	ROHS	Lugar de origem	CHINA
Quantidade de ordem mínima	10	Price	Negotiated
Termos do pagamento	T/T, Western Union	Capacidade da fonte	500000PCS
Prazo de entrega	2-15days	Detalhes de empacotamento	pacote padrão
Família	Produtos de semicondutores discretos	Categoria	Componente-transistor eletrônicos
Número da peça baixa	PBHV8540	Detalhes	Transistor (BJT) bipolar NPN 400 V 500 miliampère 30MHz 520 mW
Tipo	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples	Descrição	Transporte NPN 400V 0.5A SOT89
Pacote	SOT-89	Montando o tipo	Montagem de superfície
Resíduos	Em estoque

Descrição do produto

Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UM NPN transistor de alta tensão de NPN um baixo VCEsat (BISS)

Transistor de alta tensão discreto dos produtos-Um NPN baixo VCEsat do semicondutor (BISS)

Descrição:

Descoberta de alta tensão de NPN baixa VCEsat no transistor pequeno do sinal (BISS) (SC-62) em um poder SOT89 médio e ligação lisa em um pacote plástico Superfície-montado do dispositivo (SMD). Complemento de PNP: PBHV9040X.

Aplicação:

• Motorista do diodo emissor de luz para o módulo da corrente do diodo emissor de luz

• Backlighting do LCD

• Gestão automotivo do motor

• Interruptor do gancho para telecomunicações prendidas

• Fonte de alimentação do modo do interruptor (SMPS)

Características:

• Alta tensão

• Baixa tensão de saturação VCEsat do coletor-emissor

• Capacidade alta IC e ICM da corrente de coletor

• HFE alto do ganho atual de coletor em IC alto

• AEC-Q101 qualificou

Versão da descrição do nome

Pacote superfície-montado plástico de PBHV8540X SOT89; morre a almofada para a boa transferência térmica; 3 ligações

Especificações técnicas do produto

Categoria	Produtos de semicondutor discretos
	Transistor - bipolares (BJT) - únicos
Mfr	Nexperia EUA Inc.
Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	NPN
Atual - coletor (CI) (máximo)	500 miliampères
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)	400 V
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI	250mV @ 60mA, 300mA
Atual - interrupção do coletor (máxima)	100nA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce	100 @ 50mA, 10V
Poder - máximo	520 mW
Frequência - transição	30MHz
Temperatura de funcionamento	150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	TO-243AA
Pacote do dispositivo do fornecedor	SOT-89
Número baixo do produto	PBHV8540