Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET

Preço	Negotiated
MOQ	10pieces
Prazo de entrega	2-15days
Marca	Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Lugar de origem	China
Certification	ROHS
Number modelo	IRF1404ZPBF
Detalhes de empacotamento	pacote padrão
Termos do pagamento	T/T, Western Union
Capacidade da fonte	500000PCS

Detalhes do produto

Especificação do produto

Brand Name	Infineon Technologies/International Rectifier IOR	Number modelo	IRF1404ZPBF
Certification	ROHS	Lugar de origem	China
Quantidade de ordem mínima	10pieces	Price	Negotiated
Termos do pagamento	T/T, Western Union	Capacidade da fonte	500000PCS
Prazo de entrega	2-15days	Detalhes de empacotamento	pacote padrão
Família	Produtos de semicondutores discretos	Categoria	Componentes Eletrônicos-MOSFET (óxido metálico)
Série	HEXFET MOSFET (óxido metálico)	Número da peça baixa	IRF1404
Detalhes	Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB	Tipo	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Descrição	MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB	Pacote	TO220
Montando o tipo	Através do furo	Resíduos	Em estoque

Descrição do produto

Transistores IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

N-Canal 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB Especificação:

Categoria	Produtos de semicondutores discretos
	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Mfr	Tecnologias Infineon
Series	HEXFET®
Pacote	Tubo
Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3,7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4340 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de Energia (Máx.)	200 W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Através do orifício
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Pacote / Estojo	TO-220-3
Número do produto base	IRF1404

Descrição

Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.

As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

Classificações Ambientais e de Exportação