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| Preço | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Prazo de entrega | 2-15days |
| Marca | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Lugar de origem | China |
| Certification | ROHS |
| Number modelo | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Detalhes de empacotamento | pacote padrão |
| Termos do pagamento | T/T, Western Union |
| Capacidade da fonte | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modelo | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Certification | ROHS | Lugar de origem | China |
| Quantidade de ordem mínima | 10pieces | Price | Negotiated |
| Termos do pagamento | T/T, Western Union | Capacidade da fonte | 500000PCS |
| Prazo de entrega | 2-15days | Detalhes de empacotamento | pacote padrão |
| Família | Produtos de semicondutores discretos | Categoria | Componentes Eletrônicos-MOSFET (óxido metálico) |
| Série | HEXFET MOSFET (óxido metálico) | Número da peça baixa | IRFB4 |
| Detalhes | Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB | Tipo | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples |
| Descrição | Transistores MOSFET N-CH TO220AB | Pacote | TO220 |
| Montando o tipo | Através do furo | Resíduos | Em estoque |
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistores N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrição:
Este
HEXFET®
Power
MOSFET
utiliza
as
mais
recentes
técnicas
de
processamento
para
obter
uma
resistência
extremamente
baixa
por
área
de
silício.
As
características
adicionais
deste
produto
são
uma
temperatura
de
operação
de
junção
de
175°C,
velocidade
de
comutação
rápida
e
classificação
de
avalanche
repetitiva
aprimorada.Esses
recursos
se
combinam
para
tornar
este
projeto
um
dispositivo
extremamente
eficiente
e
confiável
para
uso
em
uma
ampla
variedade
de
aplicações.
N-Canal
180A
(Tc)
200W
(Tc)
Orifício
de
Passagem
TO-220AB
Especificação:
|
Categoria
|
Produtos
de
semicondutores
discretos
|
|
Transistores
-
FETs,
MOSFETs
-
Simples
|
|
|
Mfr
|
Tecnologias
Infineon
|
|
Series
|
HEXFET®
|
|
Pacote
|
Tubo
|
|
Tipo
FET
|
Canal
N
|
|
Tecnologia
|
MOSFET
(óxido
metálico)
|
|
Tensão
de
drenagem
para
a
fonte
(Vdss)
|
40
V
|
|
Corrente
-
Dreno
Contínuo
(Id)
@
25°C
|
180A
(Tc)
|
|
Tensão
do
Drive
(Max
Rds
On,
Min
Rds
On)
|
10V
|
|
Rds
On
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7mOhm
@
75A,
10V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
Carga
Gate
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
150
nC
@
10
V
|
|
Vgs
(Máx.)
|
±20V
|
|
Capacitância
de
entrada
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
4340
pF
@
25
V
|
|
Recurso
FET
|
-
|
|
Dissipação
de
Energia
(Máx.)
|
200
W
(Tc)
|
|
Temperatura
de
operação
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Tipo
de
montagem
|
Através
do
orifício
|
|
Pacote
de
dispositivos
do
fornecedor
|
TO-220AB
|
|
Pacote
/
Estojo
|
TO-220-3
|
|
Número
do
produto
base
|
IRF1404
|
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Status do ALCANCE | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
