Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

Preço	Negotiated
MOQ	1000-2000 PCS
Prazo de entrega	1 - 2 Weeks
Marca	OTOMO
Lugar de origem	ShenZhen China
Certification	RoHS、SGS
Number modelo	8H02ETS
Detalhes de empacotamento	Encaixotado
Termos do pagamento	L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte	18,000,000PCS/pelo dia

Detalhes do produto

Especificação do produto

Lugar de origem	ShenZhen China	Brand Name	OTOMO
Certification	RoHS、SGS	Quantidade de ordem mínima	PCS 1000-2000
Price	Negotiated	Detalhes de empacotamento	Encaixotado
Prazo de entrega	1 - 2 semanas	Termos do pagamento	L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte	18,000,000PCS/pelo dia	Number modelo	8H02ETS
Nome de produto	Transistor de poder do Mosfet	VDSS	6,0 A
APLICAÇÃO	Gestão do poder	CARACTERÍSTICA	Baixa carga da porta
Transistor do mosfet do poder	SOT-23-6L Plástico-encapsulam

Descrição do produto

MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel

DESCRIÇÃO

O 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e

operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.

CARACTERÍSTICAS GERAIS

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A

8H02TS RDS (SOBRE)

RDS (SOBRE)

Avaliação do ESD: 2000V HBM

Aplicação

Proteção da bateria

Gestão do poder do interruptor da carga

Marcação do pacote e informação pedindo

Identificação do produto	Bloco	Marcação	Qty (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

Parâmetro	Símbolo	Limite	Unidade
Tensão da Dreno-fonte	VDS	20	V
Tensão da Porta-fonte	VGS	±12	V
Drene Current-Continuous@ Atual-pulsado (nota 1)	Identificação	7	V
Dissipação de poder máxima	Paládio	1,5	W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento	TJ, TSTG	-55 a 150	℃
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

NOTAS: 1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. 2. de superfície montado FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não assunto aos testes de produção.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS