Elemento
de
Aquecimento
SiC
Os
elementos
de
aquecimento
de
carboneto
de
silício
(elementos
de
aquecimento
SiC)
são
componentes
de
aquecimento
elétrico
não
metálicos
tubulares
de
alta
temperatura,
fabricados
a
partir
de
carboneto
de
silício
hexagonal
verde
de
alta
pureza,
através
de
processos
avançados,
incluindo
formação
de
corpo
verde,
infiltração
de
silício
em
alta
temperatura
e
recristalização.
Especificações
de
Desempenho
Essenciais
|
Desempenho
|
Índice
|
Cenários
Vantajosos
|
|
Temperatura
máxima
de
operação
|
1500°C
|
Processos
de
sinterização
e
calcinação
em
alta
temperatura
|
|
Propriedades
antioxidantes
|
Forte
(estável
no
ar
a
1310℃)
|
Exposição
prolongada
a
ambientes
de
trabalho
em
alta
temperatura
|
|
Resistência
à
corrosão
|
Resistente
a
ácidos
e
corrosão
de
CO2/halogênios
|
Síntese
de
materiais
sob
condições
complexas
|
|
Eficiência
térmica
|
Aquece
rapidamente,
com
uma
densidade
de
potência
superficial
de
3,1-4,0
W/cm²
|
Aquecimento
rápido
e
requisitos
de
economia
de
energia
|
|
Resistência
mecânica
|
Resistência
à
flexão:
70-90
MPa
|
Resistência
ao
choque
térmico,
resistência
ao
impacto
|
Aplicações
-
Fornos
Industriais
e
Equipamentos
de
Tratamento
Térmico
-
Equipamentos
de
Alta
Temperatura
para
Laboratório
-
Metalurgia
do
Pó
e
Processamento
de
Metais
-
Indústria
Fotovoltaica
e
de
Semicondutores
-
Proteção
Ambiental
e
Setor
de
Energia
Serviços
de
Personalização
-
Personalização
de
Dimensões
-
Personalização
de
Resistência
-
Adaptação
de
Atmosfera
Especificações
e
Modelos
Tipo
GD
(Diâmetro
Uniforme)
Diâmetro
Externo
(DE):
Tamanhos
personalizáveis
Comprimento
da
Zona
Quente
(ZQ)
/
Comprimento
da
Extremidade
Fria
(EF):
Projetado
de
acordo
com
os
requisitos
Tipo
DC
(Formato
de
Haltere)
Diâmetro
Externo
(DE/DE1):
Design
de
diâmetro
de
dois
segmentos
Comprimento
Total
(CT):
Adaptável
para
instalação
em
diferentes
tipos
de
fornos
Parâmetros
Técnicos
Chave
|
Projeto
|
Dados
|
Associação
de
Aplicação
|
|
Densidade
|
2,5-2,6
g/cm³
|
Equilíbrio
de
resistência
estrutural
e
condutividade
térmica
|
|
Resistividade
|
1000-2000
Ω·mm²/m
|
Sistema
de
controle
de
temperatura
baseado
em
resistor,
projetado
sob
medida
|
|
Coeficiente
de
expansão
linear
(20~1500℃)
|
5×10⁻⁶/℃
|
Controle
de
deformação
em
altas
temperaturas
|
|
Adaptabilidade
a
diferentes
ambientes/atmosferas
|
Por
favor,
consulte
para
obter
detalhes
|
Seleção
do
ambiente
de
gás
de
processo
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