Placa
de
Carbeto
de
Silício
(SiC)
O
carbeto
de
silício
(SiC)
partilha
muitas
características
com
o
diamante—é
um
dos
materiais
cerâmicos
técnicos
mais
leves,
duros
e
resistentes.
Possui
excelente
condutividade
térmica,
resistência
a
ácidos
e
baixa
expansão
térmica.
O
carbeto
de
silício
é
um
excelente
material
quando
o
desgaste
físico
é
uma
consideração
significativa,
devido
à
sua
excepcional
resistência
à
erosão
e
abrasão.
-
Cerâmicas
de
Carbeto
de
Silício
Sinterizado
sem
Pressão
-
Excepcional
resistência
à
erosão
e
abrasão
-
Adequado
para
bicos,
bicos
de
jateamento
de
areia
e
componentes
de
separadores
de
ciclone
Propriedades
Mecânicas
|
Propriedade
|
Unidade
|
Carbeto
de
Silício
|
|
Densidade
|
g/cm³
|
3.15
|
|
Dureza
Vickers
|
Hv0.5
|
2650
|
|
Resistência
à
Flexão
|
MPa
|
450
|
|
Resistência
à
Compressão
|
MPa
|
2650
|
|
Módulo
de
Elasticidade
|
GPa
|
430
|
|
Tenacidade
à
Fratura
|
MPa*m¹/²
|
4
|
|
Rácio
de
Poisson
|
|
0.14
|
|
Módulo
de
Young
|
GPa
|
430
|
|
Pureza
da
Matéria-Prima
de
Carbeto
de
Silício
|
%
|
99
|
Propriedades
Térmicas
|
Propriedade
|
Unidade
|
Carbeto
de
Silício
|
|
Condutividade
Térmica
a
25°C
|
W/mK
|
110
|
|
Ponto
de
Fusão
|
°C
|
2800
|
|
Calor
Específico
|
J/g*K
|
0.8
|
|
Coeficiente
de
Expansão
Linear
|
10⁻⁶/K
|
4
|
Características
Elétricas
|
Propriedade
|
Unidade
|
Carbeto
de
Silício
|
|
Constante
Dielétrica
|
1MHz
|
10
|
|
Tensão
de
Ruptura
|
V/cm
|
1×10⁶
|
|
Perda
Dielétrica
|
1MHz
|
0.001
|
|
Resistividade
|
Ω*cm
|
10²-10⁶
|
